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TRIAC( Surface Mount Device / Non-isolated)
TMG5C80H Triac TMG5C80H is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
TO-263 （7.0）
（0.4）
10 ±0.3
1.3 ±0.2
2
IT(RMS)=5A High Surge Current ● Low Voltage Drop ● Lead-Free Package
3
0.8 ±0.15 2.54 ±0.25 5.08 ±0.5
1 3
0.5 ±0.15 2.5 ±0.2
2
1 T1 2 T2 3 Gate
Identifying Code：T5C8H
■Maximum Ratings
Unit：mm
（Tj=25℃ unless otherwise specified）
Symbol
Item
VDRM
Repetitive Peak Off-State Voltage
Reference
IT（RMS）
R.M.S. On-State Current
Tc＝107℃
ITSM
Surge On-State Current
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
PG（AV）
5）
1.27 ±0.2
●
PGM
.4
2.4 ±0.2
●
It
RO 2×
2.36 ±0.15
10.4 ±0.3
9.2 ±0.3 1.4 ±0.5
1
（
2
2
4.9 ±0.5
Features
4.5 ±0.2
（6.91）
2.54 ±0.15
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications ● Industrial Use : SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR, Heater Controls, Vending Machines, other control applications
●
（7.2）
（0.9）
Typical Applications
2
（4.0）
I t（for fusing） 2
Peak Gate Power Dissipation
Unit
800
V
5
A
50/55 12.6
A A2S
3
W
0.3
W
IGM
Peak Gate Current
2
A
VGM
Peak Gate Voltage
Tj Tstg
Average Gate Power Dissipation
Ratings
10
V
Operating Junction Temperature
−40∼＋125
℃
Storage Temperature
−40∼＋150 1.2
℃
Mass
g
■Electrical Characteristics Ratings
Symbol
Item
IDRM
Repetitive Peak Off-State Current
VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃
VTM ＋ I GT1
Peak On-State Voltage
IT＝7A, Inst. measurement
1
− I GT1
2
＋ I GT3
3
− I GT3
4
＋ V GT1
1
− V GT1
2
＋ V GT3
3
− V GT3
4
VGD 〔dv/dt〕c IH
Reference
Min.
Typ. Max.
Unit
1
mA
1.4
V
20 20
Gate Trigger Current
mA
20
VD＝6V，RL＝10Ω
1.5 1.5
Gate Trigger Voltage
V
1.5
Non-Trigger Gate Voltage
Tj＝125℃，VD＝1／2VDRM
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage at Commutation
Tj＝125℃， 〔di/dt〕 c＝−2.5A/ms，VD＝400V
Holding Current
＋
V
5
V/μs 10
Rth（j-c） Thermal Resistance
1（
0.2
）
Junction to case
2（ ） −
mA 3.0
3（ III
＋
）
℃/W
4（ III ） −
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:
[email protected]
TMG5C80H
Gate Characteristics
１００
PGM（3W） PG（AV） （0.3W）
１
IGM（2A）
25℃ 1＋GT１ 1−GT１ 1−GT３ VGD（0.2V）
０． １ １０
１０００
１
Ｔ ｊ=２５℃ Ｔ ｊ=１２５℃
０． ５
2π
θ ３６０゜
θ＝６０゜
３
θ＝３０゜
１ ２
３
４
RMS On-State Current（A）
６
５
５０ ４０ ６０HZ ５０HZ
２０ １０ ０ １
２
５
１０
２０
５０
Time（Cycles）
１００
IGT −Tj（Typical）
３． ０
３． ５
θ＝30゜ θ＝60゜ π
０
θ
θ＝90゜
2π
θ
θ＝120゜
３６０゜
θ＝150゜ θ＝180゜
θ ：Conduction Angle
１０５ ０
１０
１
２
３
４
５
Transient Thermal Impedance
１ ０.０１
１０００
０.１
１
１０
１００
５０
１００
１５０
Time（Sec.）
VGT −Tj（Typical）
５００
５００
２００
２００ １００
I＋GT１ （1＋） I−GT１ （1−）
５０
I−GT３ （3−）
２０ １０ −５０
２． ５
RMS On-State Current（A）
Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive）
３０
２． ０
１１５
１１０
１
１． ５
On-State Voltage（V）
１２０
θ＝９０゜
４
０ ０
１． ０
１２５
θ＝１８０゜ θ＝１５０゜ θ＝１２０゜
θ
２
IGT（t℃） ×100（％） IGT（２５℃）
２
RMS On-State vs Allowable Case Temperature
θ ：Conduction Angle
１０００
５
Allowable Case Temperature（℃）
π
０
５
６０
１０
０． ２ ０． ５
１００００
Gate Current（mA）
２０
RMS On-State Current vs Maximum Power Dissipation
６
Power Dissipation（W）
１００
Transient Thermal Impedance（℃/W）
７
Surge On-State Current（A）
On-State Peak Current（A）
VGM（10V）
１０
On-State Characteristics（MAX）
５０
VGT（t℃） ×100（％） VGT（２５℃）
Gate Voltage（V）
１００
０
５０
１００
Junction Temp. Tj（℃）
１５０
V−GT３ （3−）
１００
V＋GT１ （1＋） V−GT１ （1−）
５０ ２０ １０ −５０
０
Junction Temp. Tj（℃）
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:
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