Transcript
Samsung SSD 845DC EVO Enterprise Solid State Drive
5
re kte Jah chrän
eingesrantie Ga
Das Solid State Drive für leseintensive Anwendungen. Die Samsung SSD 845DC EVO ist das perfekte Laufwerk für leseintensive Anwendungen in Rechenzentren. Die bewährte 3-bit MLC-NAND Flash-Technologie bietet in Kombination mit dem für die Verwendung in Datenzentren optimierten MEX-Controller niedrige Latenzen und eine kontinuierliche Leistung, die beispielsweise beim Video-Streaming oder in Webservern extrem wichtig sind. Besonderheiten · Verstärkte Error Correction Code (ECC)-Engine zur Erkennung und Korrektur von Signalfehlern in Echtzeit · Power Loss Protection: Integrierte Tantal-Kondensatoren schützen SSD und Daten vor plötzlichem Stromausfall · Dynamic Thermal Guard zur optimalen Überwachung der Betriebstemperatur und zum Schutz vor Überhitzung
Technische Daten · Verfügbare Kapazitäten: 240 GB, 480 GB, 960 GB · Sequenzielle Datenübertragungsraten bis zu 530 MB/s (Read) bzw. 410 MB/s (Write) · Ein-/Ausgabeoperationen: bis zu 87.000 IOPS (Random Read) bzw. 14.000 IOPS (Random Write) · Zuverlässigkeit: 2 Millionen Stunden (MTBF) · Spezifizierte Schreibdatenmenge: 150/300/600 TB Total Bytes Written* · Latenz: 110 µs (Random Read) bzw. 55 µs (Random Write)* · Schnittstelle: SATA 6 Gb/s · 5 Jahre eingeschränkte Garantie * modellabhängig
Samsung Electronics GmbH ∙ Am Kronberger Hang 6 ∙ 65824 Schwalbach/Taunus ∙ Hotline: 0180 6 726 78 64 (0,20 €/Anruf aus dem dt. Festnetz, aus dem Mobilfunknetz max. 0,60 €/Anruf, aus dem Ausland abweichend) ∙ Stand Oktober 2014 ∙ Irrtümer und Änderungen vorbehalten.
Samsung SSD 845DC EVO Serie Modellbezeichnung Allgemein
Geschwindigkeit
Lieferumfang
MZ-7GE240EW
MZ-7GE480EW
MZ-7GE960EW
Kapazität
240 GB
480 GB
960 GB
Gewicht
max. 63 g
max. 63 g
max. 63 g
Maße (L x B x H)
100 x 69,85 x 6,8 mm
100 x 69,85 x 6,8 mm
100 x 69,85 x 6,8 mm
Lese-/Schreibgeschw.
bis zu 530 MB/s* bzw. 270 MB/s*
bis zu 530 MB/s* bzw. 410 MB/s*
bis zu 530 MB/s* bzw. 410 MB/s*
Ein-/Ausgabeoperationen
bis zu 87.000 IOPS Read* bis zu 12.000 IOPS Write*
bis zu 87.000 IOPS Read* bis zu 14.000 IOPS Write*
bis zu 87.000 IOPS Read* bis zu 14.000 IOPS Write*
Software
Samsung SSD Magician DC-Software** zur Verwaltung der SSD
Samsung SSD Magician DC-Software** zur Verwaltung der SSD
Samsung SSD Magician DC-Software** zur Verwaltung der SSD
Technische Merkmale 845DC EVO Formfaktor
2,5 Zoll
Feuchtigkeit
5 % bis 95 %, nicht kondensierend
Durchschnittliche Leistungs- 240 GB: 3,1/3,1 W Read/Write (Burst: 3,1/3,4 W)*** aufnahme im Betrieb 480 GB: 3,1/4,1 W Read/Write (Burst: 3,1/4,4 W)*** 960 GB: 3,1/4,2 W Read/Write (Burst: 3,1/4,8 W)***
Vibration
Außer Betrieb: 20~2000 Hz, 20G
Schock
Außer Betrieb: 1.500 G, 0,5 ms, 3 Achsen
Durchschnittliche Leistungs- 1,5 W*** aufnahme im Leerlauf
Storage-Speicher
Samsung 19nm Toggle 3-bit MLC-NAND
Controller
Samsung 3-core MEX-Controller
Zulässige Spannung
5V±5%
Datenverschlüsselung
AES 256-bit Verschlüsselung (Class 0)
Zuverlässigkeit (MTBF)
Mean Time Between Failures (MTBF): 2.000.000 hours Uncorrectable Bit Error Rate (UBER): 1 Sektor pro 10hoch17 gelesenen Bits End-to-end data protection
DRAM Cache-Speicher
Samsung 256 MB Low Power DDR2 SDRAM (240 GB); Samsung 512 MB Low Power DDR2 SDRAM (480 GB); Samsung 1GB Low Power DDR2 SDRAM (960 GB)
Lebensdauer
0,35 DWPD (Drive Writes per Day); 150/300/600 TB TBW (Total Bytes Written) für 240/480/960 GB
Performance*
Schnittstelle
SATA 6 Gb/s (abwärtskompatibel)
QoS (Quality of Service)
99,9 % (Read/Write): 0,6 ms/7 ms 99,9999 % (Read/Write): 3 ms/8 ms (4 KB, QD32)
Latenz
Sequential: 55 µs Read/45 µs Write Random: 110 µs Read/50 µs Write
Sequential Read: Max. 530 MB/s Sequential Write***: Max. 270 MB/s (240 GB), max. 410 MB/s (480 GB/960 GB) 4 KB Random Read (QD1): Max. 8.000 IOPS 4 KB Random Write (QD1): Max. 12.000 IOPS (240 GB) 4 KB Random Write (QD1): Max. 14.000 IOPS (480 GB/960 GB) 4 KB Random Read (QD32): Max. 87.000 IOPS 4 KB Random Write (QD32): Max. 12.000 IOPS (240 GB) 4 KB Random Write (QD32): Max. 14.000 IOPS (480 GB/960 GB)
Temperatur
In Betrieb: 0°C to 70°C, außer Betrieb: -40°C to 85°C
Besonderheiten
GC (Garbage Collection); Trim-, SMART-, DAS- und WWN-Unterstützung
Garantie
5 Jahre eingeschränkte Garantie
Zertifizierung
CE, BSMI, KCC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB
Glossar 3-bit MLC-NAND Flash: Samsungs bewährte 3-bit MLC-NAND Flash-
TBW/Total Bytes Written: Samsung spezifiziert die Lebensdauer der
Technologie ist die Basis für die SSDs der 845DC EVO Serie. Die
SSD 845DC EVO über die gesamte Schreibdatenmenge, die die Lauf-
Speicherchips zeigen hohe Zuverlässigkeit und sind für Anwendungen
werke über ihren Einsatzzeitraum mindestens aufnehmen können. Eine
ausgelegt, die vor allem Lesezugriffe auslösen, bei Servern (also
Server-SSD sollte mit besonderem Augenmerk auf diesen Wert bzw.
Systeme), die überwiegend Daten ausliefern.
die Schreibdatenmenge pro Tag ausgewählt werden.
MEX-Controller: Der aktuellste Flash-Controller mit 3 ARM-Rechen-
Kontinuierliche Leistung: In Rechenzentren zählt nicht das letzte
kernen und 400-MHz-Takt ist wichtiger Baustein für die
Quäntchen an Maximalleistung, sondern eine sehr hohe und jederzeit
hohe Leistungsfähigkeit der 845DC EVO Serie in Serverumgebung.
abrufbare Performance, mit der Administratoren und Entscheider auch unter härtesten Workloads zuverlässig planen können.
LPDDR2-Cache: Hochgeschwindigkeits-Puffer auf jeder 845DC EVO SSD. Mindestens 1 MB Cache pro Gigabyte an Speicherplatz steht
QoS (Quality of Service): Beschreibt den Grad der Vorhersagbarkeit von
zur Verfügung, mindestens jedoch 256 MB.
Antwortzeiten. In Verbindung mit Angaben zur Latenz lassen sich damit Aussagen über die Verfügbarkeit der I/O-Performance treffen.
ECC-Engine: Mechanismus zur Echtzeiterkennung und Korrektur von Signalfehlern gewährleistet eine hohe Datenintegrität.
Power Loss Protection: Kondensatoren aus Tantal bieten eine hohe Schaltfestigkeit und stellen die Datenintegrität bei plötzlichem Spannungsabfall sicher.
* Die tatsächliche Performance kann je nach Einsatzszenario und -umgebung variieren. ** Die Samsung SSD Magician DC-Software ist zur Zeit nur für Windows erhältlich, ggf. 1. Die Performance wurde mit dem Programm FIO und einer Queue-Tiefe von 32 ermittelt mit unterstützen Versionen. 2. Messungen wurden über den gesamten logischen Blockadressierungsbereich (LBA) ausgeführt *** Die tatsächliche Leistungsaufnahme kann abhängig von der Systemhardware und 3. Schreib-Cache aktiviert -konfiguration abweichen. 4. Bei der sequenziellen Performance entspricht 1 MB/sec = 1,048,576 byte/sec 5. Angaben zur unkorrigierbaren Bitfehlerrate (UBER) und zur Haltbarkeit (TBW) basieren auf JEDEC Standards.
Samsung Electronics GmbH ∙ Am Kronberger Hang 6 ∙ 65824 Schwalbach/Taunus ∙ Hotline: 0180 6 726 78 64 (0,20 €/Anruf aus dem dt. Festnetz, aus dem Mobilfunknetz max. 0,60 €/Anruf, aus dem Ausland abweichend) ∙ Stand Oktober 2014 ∙ Irrtümer und Änderungen vorbehalten.
