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TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules
FP20R06W1E3
EasyPIM™ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPIM™modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC VorläufigeDaten/PreliminaryData
VCES = 600V IC nom = 20A / ICRM = 40A
TypischeAnwendungen • Hilfsumrichter • Klimaanlagen • Motorantriebe
TypicalApplications • AuxiliaryInverters • AirConditioning • MotorDrives
ElektrischeEigenschaften • NiedrigeSchaltverluste • TrenchIGBT3 • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten • NiedrigesVCEsat
ElectricalFeatures • LowSwitchingLosses • TrenchIGBT3 • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient • LowVCEsat
MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • KompaktesDesign • Lötverbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern
MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance • Compactdesign • SolderContactTechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps
ModuleLabelCode BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
ULapproved(E83335) 1
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules
FP20R06W1E3 VorläufigeDaten PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
600
V
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom IC
20 27
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
40
A
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175
Ptot
94,0
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 20 A, VGE = 15 V IC = 20 A, VGE = 15 V IC = 20 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VCE sat
A A
typ.
max.
1,55 1,70 1,80
2,00
V V V
VGEth
4,9
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,20
µC
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,10
nF
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,034
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,02 0,02 0,02
µs µs µs
tr
0,013 0,016 0,017
µs µs µs
td off
0,12 0,14 0,15
µs µs µs
tf
0,07 0,095 0,10
µs µs µs
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 18 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 18 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 18 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 18 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse
IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = 50 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1800 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 18 Ω Tvj = 150°C
Eon
0,32 0,44 0,49
mJ mJ mJ
AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse
IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = 50 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4100 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 18 Ω Tvj = 150°C
Eoff
0,44 0,56 0,59
mJ mJ mJ
Kurzschlußverhalten SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
140 100
A A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
1,45
1,60 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,25
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1 2
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules
FP20R06W1E3 VorläufigeDaten PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
600
V
IF
20
A
IFRM
40
A
I²t
49,0 45,0
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,60 1,55 1,50
2,00
A²s A²s
Durchlassspannung Forwardvoltage
IF = 20 A, VGE = 0 V IF = 20 A, VGE = 0 V IF = 20 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
VF
Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent
IF = 20 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
IRM
34,0 38,0 40,0
A A A
Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge
IF = 20 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Qr
1,00 1,75 2,20
µC µC µC
AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy
IF = 20 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Erec
0,21 0,37 0,47
mJ mJ mJ
RthJC
1,95
2,15 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,35
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
V V V
150
°C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM
1600
V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TC = 80°C MaximumRMSforwardcurrentperchip
IFRMSM
30
A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 80°C
IRMSM
30
A
StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
300 245
A A
Grenzlastintegral I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
450 300
A²s A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
VF
0,90
V
IR
2,00
mA
RthJC
1,20
1,35 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,15
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1
Durchlassspannung Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 20 A
Sperrstrom Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
3
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules
FP20R06W1E3 VorläufigeDaten PreliminaryData
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
600
V
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom IC
20 27
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
40
A
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175
Ptot
94,0
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 20 A, VGE = 15 V IC = 20 A, VGE = 15 V IC = 20 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VCE sat
A A
typ.
max.
1,55 1,70 1,80
2,00
V V V
VGEth
4,9
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,20
µC
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,10
nF
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,034
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,03 0,03 0,03
µs µs µs
tr
0,022 0,028 0,03
µs µs µs
td off
0,20 0,24 0,25
µs µs µs
tf
0,07 0,11 0,12
µs µs µs
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 30 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 30 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 30 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 30 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse
IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH VGE = ±15 V RGon = 30 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Eon
0,45 0,55 0,60
mJ mJ mJ
AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse
IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH VGE = ±15 V RGoff = 30 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Eoff
0,50 0,56 0,60
mJ mJ mJ
Kurzschlußverhalten SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
ISC
140 100
A A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
1,45
1,60 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,25
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1 4
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules
FP20R06W1E3 VorläufigeDaten PreliminaryData
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
600
V
IF
10
A
IFRM
20
A
I²t
12,5 9,50
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,60 1,55 1,50
2,00
A²s A²s
Durchlassspannung Forwardvoltage
IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
VF
Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent
IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
IRM
18,0 19,0 21,0
A A A
Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge
IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Qr
0,50 0,85 1,10
µC µC µC
AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy
IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Erec
0,11 0,20 0,26
mJ mJ mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
RthJC
2,90
3,20 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,40
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
V V V
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Nennwiderstand Ratedresistance
TC = 25°C
AbweichungvonR100 DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung Powerdissipation
TC = 25°C
B-Wert B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1 5
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules
FP20R06W1E3 VorläufigeDaten PreliminaryData
Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5 6,3
mm
Luftstrecke Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0 5,0
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex
CTI
> 200
VISOL
kV
2,5
min.
typ.
max.
LsCE
30
nH
RCC'+EE' RAA'+CC'
8,00 6,00
mΩ
Tstg
-40
125
°C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp
F
20
-
50
N
Gewicht Weight
G
24
g
Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur Storagetemperature
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 30 A rms per connector pin.
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1 6
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP20R06W1E3
IGBT-Module IGBT-modules
VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C
40
40 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
32
32
28
28
24
24
20
20
16
16
12
12
8
8
4
4
0
0,0
0,3
0,6
0,9
VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V
36
IC [A]
IC [A]
36
1,2
1,5 1,8 VCE [V]
2,1
2,4
2,7
0
3,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V
0,0
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0 VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=18Ω,RGoff=18Ω,VCE=300V
40
1,4 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
36
Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C
1,2
32 1,0
28 24
0,8 E [mJ]
IC [A]
0,5
20
0,6
16 12
0,4
8 0,2 4 0
5
6
7
8 9 VGE [V]
10
11
0,0
12
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1 7
0
5
10
15
20 IC [A]
25
30
35
40
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP20R06W1E3
IGBT-Module IGBT-modules
VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=20A,VCE=300V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t)
2,0
10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C
1,6
ZthJH : IGBT
E [mJ]
ZthJH [K/W]
1,2
0,8
1
0,4 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,1901 0,4681 1,003 1,039 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
0,0
0
20
40
60
80
0,1 0,001
100 120 140 160 180 200 RG [Ω]
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=18Ω,Tvj=150°C 44 IC, Modul IC, Chip 40
1
10
40 36
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
32
32
28
28
24
24
IF [A]
IC [A]
0,1 t [s]
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF)
36
20
20 16
16
12
12
8
8
4
4 0
0,01
0
200
400 VCE [V]
600
0
800
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1 8
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 VF [V]
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP20R06W1E3
IGBT-Module IGBT-modules
VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=18Ω,VCE=300V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=20A,VCE=300V
0,8
0,7 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,6
0,6
0,5
E [mJ]
E [mJ]
0,4 0,4
0,3
0,2
0,2
0,1
0,0
0
4
8
12
16
20 24 IF [A]
28
32
36
0,0
40
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t)
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200 RG [Ω]
DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) IF=f(VF)
10
40 ZthJH : Diode
Tvj = 25°C Tvj = 150°C
35 30
IF [A]
ZthJH [K/W]
25 1
20 15 10
i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,3013 0,7006 1,3873 0,9109 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1 0,001
0,01
0,1 t [s]
1
5 0
10
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1 9
0,0
0,2
0,4
0,6 0,8 VF [V]
1,0
1,2
1,4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP20R06W1E3
IGBT-Module IGBT-modules
VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF)
40
20 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
18
32
16
28
14
24
12 IF [A]
IC [A]
36
20
10
16
8
12
6
8
4
4
2
0
0,0
0,3
0,6
0,9
1,2
1,5 1,8 VCE [V]
2,1
2,4
2,7
0
3,0
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80 100 TC [°C]
120
140
160
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1 10
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 VF [V]
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules
FP20R06W1E3 VorläufigeDaten PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
J
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
Infineon
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1 11
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules
FP20R06W1E3 VorläufigeDaten PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1 12
