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テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules
FP30R06W1E3_B11
EasyPIM™モジュール高速トレンチ/フィールドストップIGBT3andエミッターコントロール3diode内蔵and PressFIT/NTCサーミスタ EasyPIM™modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC 暫定データ/PreliminaryData
VCES = 600V IC nom = 30A / ICRM = 60A
一般応用 • スタティックインバーター • 空冷 • モーター駆動
TypicalApplications • AuxiliaryInverters • AirConditioning • MotorDrives
電気的特性 • 低スイッチング損失 • 低VCEsat飽和電圧 • トレンチIGBT3 • 正温度特性を持ったVCEsat飽和電圧
ElectricalFeatures • LowSwitchingLosses • LowVCEsat • TrenchIGBT3 • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
機械的特性 • 低熱インピーダンスのAl2O3 DCB • コンパクトデザイン • PressFIT接合技術 • 固定用クランプによる強固なマウンティング
MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance • Compactdesign • PressFITContactTechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps
ModuleLabelCode BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.0
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
ULapproved(E83335) 1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules
FP30R06W1E3_B11 暫定データ PreliminaryData
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
600
V
連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 65°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom IC
30 37
繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
60
A
トータル損失 Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
115
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage
min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量 Gatecharge
VCE sat
A A
typ.
max.
1,55 1,70 1,80
2,00
V V V
VGEth
4,9
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,30
µC
内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
入力容量 Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,65
nF
帰還容量 Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,051
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,02 0,02 0,02
µs µs µs
tr
0,016 0,021 0,022
µs µs µs
td off
0,14 0,16 0,18
µs µs µs
tf
0,045 0,06 0,065
µs µs µs
ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 2100 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C
Eon
0,50 0,65 0,75
mJ mJ mJ
ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4200 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C
Eoff
0,60 0,75 0,80
mJ mJ mJ
短絡電流 SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
210 150
A A
ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
1,15
1,30 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,10
K/W
動作温度 Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.0 2
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules
FP30R06W1E3_B11 暫定データ PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積 I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
600
V
IF
30
A
IFRM
60
A
I²t
90,0 82,0
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,60 1,55 1,50
2,00
A²s A²s
順電圧 Forwardvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 2100 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
IRM
44,0 48,0 49,0
A A A
逆回復電荷量 Recoveredcharge
IF = 30 A, - diF/dt = 2100 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Qr
1,30 2,30 2,70
µC µC µC
逆回復損失 Reverserecoveryenergy
IF = 30 A, - diF/dt = 2100 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Erec
0,35 0,55 0,65
mJ mJ mJ
V V V
ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
1,60
1,75 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,30
K/W
動作温度 Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
°C
Diode、整流器/Diode,Rectifier 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM
1600
V
最大実効順電流/chip MaximumRMSforwardcurrentperchip
TC = 80°C
IFRMSM
30
A
整流出力の最大実効電流 MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 80°C
IRMSM
30
A
サージ順電流 Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
300 245
A A
電流二乗時間積 I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
450 300
A²s A²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
VF
1,00
V
IR
2,00
mA
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
1,20
1,35 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,15
K/W
動作温度 Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.0
順電圧 Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 30 A
逆電流 Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase
3
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules
FP30R06W1E3_B11 暫定データ PreliminaryData
IGBT-ブレーキチョッパー/IGBT,Brake-Chopper 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
600
V
連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 65°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom IC
30 37
繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
60
A
トータル損失 Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
115
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage
min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量 Gatecharge
VCE sat
A A
typ.
max.
1,55 1,70 1,80
2,00
V V V
VGEth
4,9
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,30
µC
内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
入力容量 Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,65
nF
帰還容量 Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,051
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,04 0,04 0,04
µs µs µs
tr
0,023 0,031 0,032
µs µs µs
td off
0,23 0,25 0,26
µs µs µs
tf
0,035 0,04 0,45
µs µs µs
ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 33 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 33 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 33 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 33 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH VGE = ±15 V RGon = 33 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Eon
0,80 1,00 1,10
mJ mJ mJ
ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH VGE = ±15 V RGoff = 33 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Eoff
0,60 0,80 0,85
mJ mJ mJ
短絡電流 SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
ISC
210 150
A A
ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
1,15
1,30 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,10
K/W
動作温度 Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.0 4
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules
FP30R06W1E3_B11 暫定データ PreliminaryData
Diode、ブレーキチョッパー/Diode,Brake-Chopper 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積 I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
600
V
IF
10
A
IFRM
20
A
I²t
12,5 9,50
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,60 1,55 1,50
2,00
A²s A²s
順電圧 Forwardvoltage
IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent
IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
IRM
18,0 19,0 21,0
A A A
逆回復電荷量 Recoveredcharge
IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Qr
0,50 0,85 1,10
µC µC µC
逆回復損失 Reverserecoveryenergy
IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Erec
0,11 0,20 0,26
mJ mJ mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
2,90
3,20 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,40
K/W
動作温度 Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
V V V
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor 電気的特性/CharacteristicValues 定格抵抗値 Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差 DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失 Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数 B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数 B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数 B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.0 5
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules
FP30R06W1E3_B11 暫定データ PreliminaryData
モジュール/Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
内部絶縁 Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140) basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
沿面距離 Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
11,5 6,3
mm
空間距離 Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
10,0 5,0
mm
相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex
CTI
> 200
VISOL
kV
2,5
min.
typ.
max.
LsCE
30
nH
RCC'+EE' RAA'+CC'
8,00 6,00
mΩ
Tstg
-40
125
°C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp
F
20
-
50
N
質量 Weight
G
24
g
内部インダクタンス Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度 Storagetemperature
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.0 6
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules
FP30R06W1E3_B11 暫定データ PreliminaryData
出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V
出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C
60
60 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
48
48
42
42
36
36
30
30
24
24
18
18
12
12
6
6
0
0,0
0,3
0,6
0,9
VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V
54
IC [A]
IC [A]
54
1,2
1,5 1,8 VCE [V]
2,1
2,4
2,7
0
3,0
伝達特性IGBT- インバータ(Typical) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0 VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=15Ω,RGoff=15Ω,VCE=300V
60
2,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
54 48
Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C
2,0
42 1,5 E [mJ]
IC [A]
36 30 24
1,0
18 12
0,5
6 0
5
6
7
8 9 VGE [V]
10
11
0,0
12
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.0 7
0
10
20
30 IC [A]
40
50
60
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules
FP30R06W1E3_B11 暫定データ PreliminaryData
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=300V
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t)
3,0
10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C
2,5
ZthJH : IGBT
ZthJH [K/W]
E [mJ]
2,0
1,5
1
1,0
0,5
0,0
i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,1581 0,3892 0,8331 0,8696 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
0
20
40
60
80 100 RG [Ω]
120
140
0,1 0,001
160
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=15Ω,Tvj=150°C
1
10
60 IC, Modul IC, Chip
60
54
54
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
48
48
42
42
36
36
IF [A]
IC [A]
0,1 t [s]
順電圧特性Diode、インバータ（typical) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF)
66
30
30 24
24
18
18
12
12
6
6 0
0,01
0
200
400 VCE [V]
600
0
800
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.0 8
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 VF [V]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules
FP30R06W1E3_B11 暫定データ PreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=15Ω,VCE=300V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=300V
1,0
1,0 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C
0,8
0,8
0,7
0,7
0,6
0,6
0,5
0,5
0,4
0,4
0,3
0,3
0,2
0,2
0,1
0,1
0,0
0
10
20
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C
0,9
E [mJ]
E [mJ]
0,9
30 IF [A]
40
50
0,0
60
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t)
0
20
40
60
80 100 RG [Ω]
120
140
160
順方向特性Diode、整流器（典型) forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) IF=f(VF)
10
60 ZthJH: Diode
Tvj = 25°C Tvj = 150°C
54 48 42
IF [A]
ZthJH [K/W]
36 1
30 24 18 12
i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,2844 0,5998 1,2243 0,7915 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1 0,001
0,01
0,1 t [s]
1
6 0
10
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.0 9
0,0
0,2
0,4
0,6 0,8 VF [V]
1,0
1,2
1,4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules
FP30R06W1E3_B11 暫定データ PreliminaryData
出力特性IGBT-ブレーキチョッパー(Typical) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V
順電圧特性Diode、ブレーキチョッパー（typical) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF)
60
20 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
18
48
16
42
14
36
12 IF [A]
IC [A]
54
30
10
24
8
18
6
12
4
6
2
0
0,0
0,3
0,6
0,9
1,2
1,5 1,8 VCE [V]
2,1
2,4
2,7
0
3,0
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80 100 TC [°C]
120
140
160
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.0 10
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 VF [V]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules
FP30R06W1E3_B11 暫定データ PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
J
パッケージ概要/packageoutlines
Infineon
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.0 11
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules
FP30R06W1E3_B11 暫定データ PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照) 製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価 ー 品質契約 ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。
Terms&Conditionsofusage
Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.0 12
