ショットキーバリアダイオード Rb160l-40 Diode

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RB160L-40 Diode ショットキーバリアダイオード RB160L-40 ●用途 一般整流用 　　●外形寸法図（Unit : mm） 　　　　　●ランド寸法図(Unit : mm) 2.0 ① ② 4.2 0.1±0.02 　　　 0.1 5.0±0.3 4 1.2±0.3 3 4.5±0.2 ●特長 1)小型パワーモールドタイプである。（PMDS） 2)低IRタイプ 3)高信頼性である。 2.0 2.6±0.2 PMDS ●構造 シリコンエピタキシャルプレーナ型 2.0±0.2 1.5±0.2 　　　 ●回路図 ROHM : PMDS JEDEC : SOD-106 ① ② 製造年月 ●テーピング仕様（Unit : mm） 2.0±0.05 0.3 φ1.55±0.05 12±0.2 5.5±0.05 5.3±0.1 0.05 　 9.5±0.1 1.75±0.1 4.0±0.1 φ1.55 2.9±0.1 4.0±0.1 2.8MAX ●絶対最大定格（Ta=25℃） Parameter Limits Symbol 40 VRM 尖頭逆方向電圧 40 VR 直流逆方向電圧 1 平均整流電流 Io 尖頭順サージ電流（60Hz・1cyc） 70 IFSM 150 接合部温度 Tj -40～+150 保存温度範囲 Tstg (*1)Tc=90℃max ガラスエポキシ基板実装時。180°Half sine wave Unit V V A A ℃ ℃ ●電気的特性（Ta=25℃） Parameter 順方向電圧 逆方向電流 Symbol VF Min. - Typ. - Max. 0.55 Unit V IR1 - - 10 µA IR2 - - 100 µA Conditions IF=1.0A VR=6V VR=40V Rev.B 1/3 Diode RB160L-40 100000 Ta=150℃ REVERSE CURRENT:IR(uA) Ta=150℃ Ta=125℃ 1000 0.1 Ta=25℃ Ta=-25℃ 0.01 Ta=75℃ 100 10 Ta=25℃ 1 Ta=-25℃ 0.1 200 400 FORWARD VOLTAGE：VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS 0 600 Ta=25℃ IF=1A n=30pcs 500 490 480 470 REVERSE CURRENT:IR(uA) AVE:489.6mV 460 0 Ta=25℃ VR=40V n=30pcs AVE:2.207uA 100 50 AVE:125.6A RESERVE RECOVERY TIME:trr(ns) 150 0 230 220 210 200 190 180 170 AVE:192.7pF 150 Ct DISPERSION MAP 200 Ta=25℃ IF=0.5A IR=1A Irr=0.25*IR n=10pcs 15 10 5 AVE:8.667ns Ifsm 150 8.3ms 8.3ms 1cyc 100 50 0 0 1 IFSM DISRESION MAP t 200 150 100 50 0 1 10 TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS 100 ｶﾞﾗｽｴﾎﾟｷｼ基板実装時 Rth(j-a) 100 Rth(j-c) 10 IM=10mA IF=0.5A 1 1ms 1.5 FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W) PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) Ifsm 100 2 1000 250 10 NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS trr DISPERSION MAP 300 30 Ta=25℃ f=1MHz VR=0V n=10pcs 160 20 1cyc 8.3ms 10 15 20 25 REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS 240 IR DISPERSION MAP 200 5 250 30 28 26 24 22 20 18 16 14 12 10 8 6 4 2 0 VF DISPERSION MAP Ifsm 10 40 PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) FORWARD VOLTAGE:VF(mV) 510 10 20 30 REVERSE VOLTAGE：VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) 0 100 1 0.01 0.001 PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) f=1MHz 10000 Ta=125℃ FORWARD CURRENT:IF(A) 1000 Ta=75℃ CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) 1 0.1 DC 1 0.5 time 300us 0.1 0.01 D=1/2 Sin(θ＝180) 1 10 100 TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS 0 1000 0 0.5 1 1.5 AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT：Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS Rev.B 2 2/3 Diode RB160L-40 1 D=1/2 DC 0.4 0.2 0A 0V 2.5 DC 2 VR t D=1/2 T D=t/T VR=20V Tj=150 1.5 1 0.5 Sin(θ＝180) Io 0A 0V Io AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) 0.6 AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) 0.8 REVERSE POWER DISSIPATION:PR (W) 3 3 2.5 DC 2 t D=1/2 T VR D=t/T VR=20V Tj=150 1.5 1 0.5 Sin(θ＝180) Sin(θ＝180) 0 0 10 20 30 40 REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-P R CHARACTERISTICS 0 0 0 25 50 75 100 125 AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃) Derating Curveﾞ(Io-Ta) 150 0 25 50 75 100 125 150 CASE TEMPARATURE:0T(℃) Derating Curveﾞ(Io-Tc) ELECTROSTATIC DISCHARGE TEST ESD(KV) 30 30kVで破壊せず 25 20 15 10 5 AVE:8.70kV 0 C=200pF R=0Ω C=100pF R=1.5kΩ ESD DISPERSION MAP Rev.B 3/3 Appendix ご  注  意 ● 本資料の一部または全部を弊社の許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。 ● 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。   本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書   を必ずご請求の上、ご確認下さい。 ● 記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動   作や使い方を説明するものです。従いまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考   慮していただきますようお願いいたします。 ● ここに記載されております製品に関する応用回路例、情報、諸データは、あくまで一例を示   すものであり、これらに関します第三者の工業所有権等の知的財産権、及びその他の権利に   対して、権利侵害がないことの保証を示すものではございません。従いまして（1）上記第三   者の知的財産権の侵害の責任、又は、（2）これらの製品の使用により発生する責任につきまし   ては弊社は、その責を負いかねますのでご了承ください。 ● 本資料に記載されている製品の販売に関し、その製品自体の使用、販売、その他の処分以外には   弊社の所有または管理している工業所有権など知的財産権またはその他のあらゆる権利   について明示的にも黙視的にも、その実施または利用を買主に許諾するものではありません。 ● 本品は、特定の機器・装置用として特別に設計された専用品とみなされるため、その機器・   装置が外為法に定める規制貨物に該当するか否かを判断していただく必要があります。 ● 本製品は「耐放射線設計」はなされておりません。 本資料に掲載されている製品は、一般的な電子機器（AV機器、OA機器、通信機器、家電 製品、アミューズメント機器など）への使用を意図しています。極めて高度な信頼性が要求 され、その製品の故障や誤動作が直接人命に関わるような機器・装置（医療機器、輸送機器、 航空宇宙機、原子力制御、燃料制御、各種安全装置など）へのご使用を検討される際は、事前 に弊社営業窓口までご相談願います。 ●輸出貿易管理令について 本資料に掲載した製品は、輸出貿易管理令別表1の16項に定める関税定率法別表第85類の貨物の対象とな りますので、輸出する場合には、大量破壊兵器などの不拡散のためのキャッチオール規制に基づく客観要 件又はインフォーム要件に該当するか否かを判定願います。 Appendix1-Rev1.1