ショットキーバリアダイオード Rb501v-40 Diode

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RB501V-40 Diode ショットキーバリアダイオード RB501V-40 ●用途 小電流整流用 ●外形寸法図（Unit : mm） ●ランド寸法図(Unit : mm) 0.1±0.1 　　　 0.05 0.9MIN. 0.8MIN. 1.25±0.1 2.5±0.2 1.7±0.1 2.1 ●特長 1)超小型モールドタイプである。（UMD2） 2)低IRタイプ 3)高信頼性である。 UMD2 ●構造 シリコンエピタキシャルプレーナ型 ●回路図 0.7±0.2 　　　 0.1 0.3±0.05 ROHM : UMD2 JEDEC : S0D-323 JEITA : SC-90/A ﾄﾞｯﾄ(年週工場) ●テーピング仕様（Unit : mm） 0.3±0.1 φ1.55±0.05 2.0±0.05 4.0±0.1 1.40±0.1 2.8±0.1 2.75 8.0±0.2 3.5±0.05 1.75±0.1 4.0±0.1 φ1.05 1.0±0.1 ●絶対最大定格（Ta=25℃） Parameter 尖頭逆方向電圧 直流逆方向電圧 平均整流電流 尖頭順サージ電流（60Hz・1cyc） 接合部温度 保存温度範囲 Limits 45 40 100 1 125 -40～+125 Symbol VRM VR Io IFSM Tj Tstg Unit V V mA A ℃ ℃ ●電気的特性（Ta=25℃） Parameter 順方向電圧 Symbol VF1 Min. Typ. Max. Unit - - 0.55 V IF=100mA VF2 - - 0.34 V IF=10mA VR=10V VR=10V , f=1MHz 逆方向電流 IR - - 30 µA 端子間容量 Ct - 6.0 - pF Conditions Rev.C 1/3 Diode RB501V-40 100 10000 Ta=75℃ Ta=25℃ 1 Ta=-25℃ 0.1 1000 0.01 Ta=75℃ 100 Ta=25℃ 10 1 Ta=-25℃ 0.1 200 300 400 500 600 0 FORWARD VOLTAGE：VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS Ta=25℃ IF=100mA n=30pcs 460 450 440 430 10 15 20 25 30 REVERSE VOLTAGE：VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS 0 35 310 FORWARD VOLTAGE:VF(mV) 300 290 280 270 AVE:281.5mV AVE:439.5mV 260 420 16 PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) Ta=25 ℃ 18 14 12 10 8 6 4 AVE:5.81pF 2 20 15 10 IR DISPERSION MAP 30 1cyc Ifsm 15 8.3ms 10 5 AVE:5.50A 0 0 Ct DISPERSION MAP Ta=25℃ IF=0.5A IR=1A Irr=0.25*IR n=10pcs 25 20 15 10 5 AVE:6.20ns 0 trr DISPERSION MAP IFSM DISRESION MAP 15 15 AVE:2.548uA 5 0 20 20 Ta=25℃ VR=10V n=10pcs 25 VF DISPERSION MAP VF DISPERSION MAP 10 20 30 REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS 30 Ta=25℃ IF=10mA n=30pcs RESERVE RECOVERY TIME:trr(ns) FORWARD VOLTAGE:VF(mV) 470 5 REVERSE CURRENT:IR(uA) 100 10 1 0.01 0 CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) f=1MHz REVERSE CURRENT:IR(uA) FORWARD CURRENT:IF(mA) 10 100 Ta=125℃ Ta=125℃ 1000 PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) Ifsm 8.3ms 8.3ms 1cyc 10 5 0 0.1 1 10 NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS t 10 100 5 0 0.1 1 10 TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS 100 TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W) Rth(j-a) Ifsm 100 Rth(j-c) ｶﾞﾗｽｴﾎﾟｷｼ基板実装時 IM=10mA 10 1ms IF=100mA time 300us 1 0.001 0.1 10 1000 TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS Rev.C 2/3 Diode RB501V-40 REVERSE POWER DISSIPATION:PR (W) FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) 0.08 D=1/2 0.06 DC Sin(θ＝180) 0.04 0.02 0.07 0.3 0.06 0.25 AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) 0.1 0.05 0.04 Sin(θ＝180) 0.03 D=1/2 DC 0.02 0.01 0 0 0 0.1 AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT：Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS 0.2 0A 0V 0.2 DC Io t VR D=t/T VR=20V T Tj=125℃ 0.15 D=1/2 0.1 Sin(θ＝180) 0.05 0 0 10 20 REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-P R CHARACTERISTICS 30 0 25 50 75 100 AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃) Derating Curveﾞ(Io-Ta) 125 AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) 0.3 0A 0V 0.25 Io t 0.2 DC 0.15 T VR D=t/T VR=20V Tj=125℃ D=1/2 0.1 0.05 Sin(θ＝180) 0 0 25 50 75 100 125 CASE TEMPARATURE:Tc(℃) Derating Curveﾞ(Io-Tc) Rev.C 3/3 Appendix ご  注  意 ● 本資料の一部または全部を弊社の許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。 ● 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。   本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書   を必ずご請求の上、ご確認下さい。 ● 記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動   作や使い方を説明するものです。従いまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考   慮していただきますようお願いいたします。 ● ここに記載されております製品に関する応用回路例、情報、諸データは、あくまで一例を示   すものであり、これらに関します第三者の工業所有権等の知的財産権、及びその他の権利に   対して、権利侵害がないことの保証を示すものではございません。従いまして（1）上記第三   者の知的財産権の侵害の責任、又は、（2）これらの製品の使用により発生する責任につきまし   ては弊社は、その責を負いかねますのでご了承ください。 ● 本資料に記載されている製品の販売に関し、その製品自体の使用、販売、その他の処分以外には   弊社の所有または管理している工業所有権など知的財産権またはその他のあらゆる権利   について明示的にも黙視的にも、その実施または利用を買主に許諾するものではありません。 ● 本品は、特定の機器・装置用として特別に設計された専用品とみなされるため、その機器・   装置が外為法に定める規制貨物に該当するか否かを判断していただく必要があります。 ● 本製品は「耐放射線設計」はなされておりません。 本資料に掲載されている製品は、一般的な電子機器（AV機器、OA機器、通信機器、家電 製品、アミューズメント機器など）への使用を意図しています。極めて高度な信頼性が要求 され、その製品の故障や誤動作が直接人命に関わるような機器・装置（医療機器、輸送機器、 航空宇宙機、原子力制御、燃料制御、各種安全装置など）へのご使用を検討される際は、事前 に弊社営業窓口までご相談願います。 ●輸出貿易管理令について 本資料に掲載した製品は、輸出貿易管理令別表1の16項に定める関税定率法別表第85類の貨物の対象とな りますので、輸出する場合には、大量破壊兵器などの不拡散のためのキャッチオール規制に基づく客観要 件又はインフォーム要件に該当するか否かを判定願います。 Appendix1-Rev1.1